Archivo de la etiqueta: La capa de empobrecimiento de un material semiconductor se crea por

Son aquellos electrones en un material que no están unidos fuertemente a los átomos o moléculas de éste y pueden desprenderse fácilmente de la estructura.

17 noviembre, 2019Ingeniería electrónicaDiodo baritt, Física del diodo semiconductor, La capa de empobrecimiento de un material semiconductor se crea por, Obtencion semiconductor tipo p, Porque en un semiconductor los electrones en el silicio son mas rapidos que en el germanio, Proceso de obtención de un semiconductor tipo n, Semiconductor tipo p y tipo n en físicawiki

1.-Explicabrevemente A que se le da el nombre «banda de energía»

Cuando los átomos se unen unos con otros para formar un sólido, Las órbitas en lasque se encuentran los electrones de cada átomo se ven afectadas Por la presencia de los átomos vecinos debido a la proximidad de los átomos Entre sí. Dichas órbitas se solapan entre sí, dando lugar a la aparición de Unas zonas o bandas continuas en lasque se pueden encontrar los electrones.

2.- ¿Qué diferencia se presenta entre un conductor, Seguir leyendo “Son aquellos electrones en un material que no están unidos fuertemente a los átomos o moléculas de éste y pueden desprenderse fácilmente de la estructura.” »